首页|J9国际集团中国官网网站工程支持中心:支持 PDK 7nm-28nm 全制程库解析
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2026 旗舰级内核发布:SiliconCore V4.0 全面开启试用部署

首页|J9国际集团中国官网网站下一代全栈EDA与良率建模引擎

为超大规模集成电路(VLSI)与微电子先进封装打造的高精度仿真与制造协同底座。依托自研异构求解内核,打通从晶体管级TCAD建模、逻辑综合、物理验证到晶圆产线良率监测的全链条工程闭环,在极端电磁与热应力仿真场景下保持皮秒级求解一致性。

100% 自研异构物理求解器
7nm FinFET 量产制程规则库适配
>40% 流片收敛周期缩减

先锋版本节点倒计时

第四代多物理场瞬态求解器公测分配中

实时资源队列
剩余授权名额 18:42:09 剩余席位: 14/100
底层架构 Linux HPC分布式集群 / OpenMP
标准格式兼容 GDSII / OASIS / LEF-DEF / Liberty
功能安全标准 ISO 26262 ASIL-D 级流程就绪
锁定企业首发测试名额
Product Catalog

首页|J9国际集团中国官网网站产品矩阵合集目录

系统性梳理微电子研发与制造全生命周期核心工具,涵盖前仿电路验证、数字后端物理实现、TCAD微观机理仿真及产线大数据良率优化平台。

IC-SIM 3000 SPICE 级瞬态求解

大规模混合信号电路仿真器

针对模拟/数模混合电路的高精度时域与频域求解,支持晶体管级噪声与工艺漂移蒙特卡洛仿真,吞吐量较传统软件提升三倍以上。

支持 BSIM-CMG / BSIM4 调阅规格文档 →
重点部署
IC-LAYOUT PRO DRC / LVS 核心验证

物理版图验证与规则检查套件

高效解析 PB 级 GDSII 与 OASIS 文件,支持跨层天线效应、电迁移(EM)及红外压降(IR-Drop)精准收敛,保障物理实现零死角。

遵循 TSMC / SMIC DRC 规则 调阅规格文档 →
TCAD-PHYS 工艺制造微观模拟

半导体三维器件物理建模系统

模拟离子注入、高温扩散、光刻刻蚀与栅氧沉积过程,为第三代半导体(SiC/GaN)及 FinFET 器件研发提供精准物理标定。

网格自适应细分技术 调阅规格文档 →
Integrated Solutions

首页|J9国际集团中国官网网站制造与设计深度协同推荐

解决芯片制造厂与无晶圆设计公司之间的技术断层,将制造端缺陷扫描与设计端敏感版图特征无缝映射,建立协同优化流水线。

01

光学邻近效应修正(OPC)仿真集成

在光罩制作前预先补偿衍射畸变,内置神经网络反演加速模型,在极短时间内完成全芯片掩模轮廓仿真,降低晶圆打样风险。

02

全晶圆良率根因追溯(YMS)数据系统

实时摄取产线数百台光刻机、刻蚀机与检测探针的离散传感器数据,自动关联版图关键区域,快速厘清随机缺陷与系统性缺陷。

03

先进 Chiplet 异质集成热电应力分析

针对 2.5D/3D 封装硅通孔(TSV)与微凸块(Microbump),开展高精密度热流固耦合仿真,解决多芯片堆叠下的散热与形变挑战。

首页|J9国际集团中国官网网站芯片多物理场协同仿真分析图
状态: 协同求解节点在线 平均精度误差 < 0.05%
Architecture & Metrics

首页|J9国际集团中国官网网站核心架构硬性指标

以严谨的工业工程度量标准,量化求解效率、规则覆盖率与底层硬件资源消耗,保障超大规模项目交付确定性。

99.98%
几何规则覆盖率

全面对标先进制程代工厂设计规则手册(DRM),杜绝假性报错与漏报。

3.2x
静态时序分析(STA)加速

多核图计算拓扑重构算法,支持亿级门级网表快速完成建立与保持时间检查。

< 15%
内存峰值占用优化

自主压缩分层数据模型,单台常规服务器节点可流畅加载完整光罩层版图。

500+
工艺库(PDK)兼容验证

支持主流代工厂提供的各类数字标准单元库、模拟器件模型与I/O接口库。

Engineering Benchmark

首页|J9国际集团中国官网网站与传统EDA方案多维对比

在多核分布式加速、自主可控源码审计、本地化技术闭环等方面展现硬核工程优势,杜绝外部技术断供风险。

对比工程维度 本套首页|J9国际集团中国官网网站 传统海外商用EDA工具
核心算法与内核授权 100% 自主微电子物理求解内核,源码无风险 黑盒闭源分发,存在突发性出口合规受限风险
PDK工艺库定制支持 原厂专家驻场,平均 48 小时内完成规则更新 跨国工单流转,响应周期通常需 3 至 6 周
异构云与本地HPC适配 原生支持各类国产服务器处理器与通用GPU集群 仅绑定特定海外指令集硬件,扩展成本高昂
软件授权模式灵活性 支持永久节点买断、动态浮动授权与混合部署 严苛的年度按座席订阅,年维护费增长不可预测
Engineering Insights

首页|J9国际集团中国官网网站前沿技术内参

跟踪纳米微电子、计算光刻、3D封装与良率提升最新工程研究报告。

查阅更多技术白皮书 →
2026-03-12 / 计算光刻专栏

面向先进制程的计算光刻与反向光刻技术(ILT)算法工程进展

探讨像素级逆向掩模合成在极紫外光刻条件下的收敛瓶颈,利用 GPU 并行图卷积将掩模优化算力需求降低一个数量级。

2026-02-28 / 良率工程分析

利用时空关联算法排查 12 英寸晶圆边缘良率失真

剖析化学机械研磨(CMP)与等离子体刻蚀均匀度对良率的影响,基于工业大数据构建边缘晶粒电学参数漂移预测网络。

2026-02-14 / 模拟设计工具

车规级高压功率器件仿真中的瞬态自发热效应求解

研究第三代半导体功率模块在极端浪涌电流下的电热耦合行为,提升 ISO 26262 严苛工作温区下的长期寿命预估可靠性。

Workflow & Methodology

首页|J9国际集团中国官网网站四步落地与工程闭环

标准化、工程化的软件集成路径,保障在现有 EDA 环境中平滑插拔,不打断正在进行的流片项目排期。

STEP 01

工艺库与PDK校验

导入代工厂提供的工艺规则文件与技术库,自动进行语法对齐与图层映射测试。

STEP 02

历史基线比对

运行已知流片历史版图,验证仿真波形、时序裕量与物理检查结果的严格等价性。

STEP 03

集群并行度调优

基于企业私有 HPC 或算力云资源,配置作业调度器权重,最大化多核吞吐能效。

STEP 04

产线协同量产收敛

衔接流片制造与封测数据,持续反向校准器件紧凑模型,形成良率正向循环。

Topic Directory

首页|J9国际集团中国官网网站细分技术专题索引

快速导航至半导体设计、制造与封测各工序对应的专业级功能模组。

物理设计后端 布局布线 (P&R)
版图寄生提取 RC Extraction
静电防护分析 ESD 拓扑检查
信号完整性 SI / PI 联合求解
掩模数据准备 MDP 光罩分层
失效模式分析 FMEA 诊断引擎
Case Studies

首页|J9国际集团中国官网网站量产落地工程验证

已成功部署于国内头部晶圆制造基地与高性能车载智驾芯片研制项目,经受严苛的大规模实战检验。

案例 A:12英寸先进制程晶圆厂 部署周期: 3个月

光刻掩模缺陷全流程诊断系统替换

针对量产产线光刻机对准偏差与邻近效应,采用本套工业软件进行全芯片在线仿真修正。成功将掩模缺陷复查误报率降低 62%,年化节省直接光罩重打成本超过数百万人民币。

指标:晶圆量产综合良率爬坡速度提升 21%
案例 B:车规级高算力AI芯片设计公司 部署周期: 2个月

超百亿晶体管 SoC 物理时序快速收敛

在面临严苛的流片截止日期前,利用本套软件的多物理场STA与IR-Drop联合分析模块,在标准Linux集群上以更高并行度完成 sign-off 闭环,实现一次性顺利点亮。

指标:后端验证周期由 28 天压缩至 16 天
Testimonials

首页|J9国际集团中国官网网站专家评语与口碑

倾听一线芯片架构师、制造良率负责人与封测工程总监的实际使用反馈。

“在复杂的 3D 封装硅通孔热应力模拟中,该软件的收敛速度超乎预期。其原生支持的网格自适应细分技术,使得我们在极细间距互连处无需手动反复调试网格密度。”

首席封装架构师
国内大型先进封测集团

“过去版图物理验证常常受困于海外软件的并发授权限制,引入本套首页|J9国际集团中国官网网站后,团队在本地数百核集群上自由并发,DRC跑图效率得到彻底释放。”

物理实现总监
高可靠通信芯片领军企业

“不仅算法底层极其扎实,其本地工程技术支持团队与我们代工厂 PDK 工程师的配合几乎做到实时响应,这在以前是完全不敢想象的服务体验。”

良率工程高级经理
12英寸晶圆代工制造厂
Trust & Audit

企业级资产安全保障

严格遵守半导体产业严苛的知识产权隔离与私有化部署规范。

物理气隙隔离部署

支持纯内网单机/离线集群运行,无需连接公网,核心版图与设计资产完全物理受控。

第三方源码漏洞审计

通过国际公认静态代码检测体系,无隐藏远程诊断后门,交付详尽静态合规凭证。

加密模型与IP保护

支持 IEEE 1735 标准多厂商 IP 加密传输,确保第三方代工模型安全调用不泄密。

Engineering Roadmap

首页|J9国际集团中国官网网站版本演进路线图

保持每个季度稳定发布次级更新,每年交付一次大版本飞跃,紧密跟随微电子先进制程演进步伐。

已上线 / V3.8 LTS

全面支持 28nm/14nm 物理验证

完成针对主流成熟工艺的完整规则集集成,支持分布式并行STA加速与模拟版图高精DRC检查。

当前发布 / V4.0 Flagship

7nm FinFET多物理场异构求解

重构瞬态电路仿真内核,加入全自动光学邻近修正(OPC)及 Chiplet 热电应力协同计算模型。

规划中 / V4.5 Next

GAAFET 结构与量子物理扩展

预研纳米片(Nanosheet)三维量子输运仿真算法,适配 3nm 以下极小尺寸器件先导研发。

响应时效 SLA
15分钟响应

重大流片阻断性工单支持 24x7 快速接入

驻场保障模式
专家点对点

关键Tape-out流片冲刺阶段安排FAE驻场支持

PDK 升级覆盖
持续热更新

紧密同步代工厂最新设计规则发布与纠错

知识转移机制
完整工程培训

提供全套脚本编写与API二次开发技术指导

Evaluation & Deployment

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我们的资深 EDA 应用工程师将在 24 小时内与您的工程团队对接,根据您的制程节点与工具链提供定制化评测环境。

承诺对所有工程咨询与设计需求遵循严格的保密协议(NDA)流程。