面向先进制程的计算光刻与反向光刻技术(ILT)算法工程进展
探讨像素级逆向掩模合成在极紫外光刻条件下的收敛瓶颈,利用 GPU 并行图卷积将掩模优化算力需求降低一个数量级。
为超大规模集成电路(VLSI)与微电子先进封装打造的高精度仿真与制造协同底座。依托自研异构求解内核,打通从晶体管级TCAD建模、逻辑综合、物理验证到晶圆产线良率监测的全链条工程闭环,在极端电磁与热应力仿真场景下保持皮秒级求解一致性。
第四代多物理场瞬态求解器公测分配中
系统性梳理微电子研发与制造全生命周期核心工具,涵盖前仿电路验证、数字后端物理实现、TCAD微观机理仿真及产线大数据良率优化平台。
针对模拟/数模混合电路的高精度时域与频域求解,支持晶体管级噪声与工艺漂移蒙特卡洛仿真,吞吐量较传统软件提升三倍以上。
高效解析 PB 级 GDSII 与 OASIS 文件,支持跨层天线效应、电迁移(EM)及红外压降(IR-Drop)精准收敛,保障物理实现零死角。
模拟离子注入、高温扩散、光刻刻蚀与栅氧沉积过程,为第三代半导体(SiC/GaN)及 FinFET 器件研发提供精准物理标定。
解决芯片制造厂与无晶圆设计公司之间的技术断层,将制造端缺陷扫描与设计端敏感版图特征无缝映射,建立协同优化流水线。
在光罩制作前预先补偿衍射畸变,内置神经网络反演加速模型,在极短时间内完成全芯片掩模轮廓仿真,降低晶圆打样风险。
实时摄取产线数百台光刻机、刻蚀机与检测探针的离散传感器数据,自动关联版图关键区域,快速厘清随机缺陷与系统性缺陷。
针对 2.5D/3D 封装硅通孔(TSV)与微凸块(Microbump),开展高精密度热流固耦合仿真,解决多芯片堆叠下的散热与形变挑战。
以严谨的工业工程度量标准,量化求解效率、规则覆盖率与底层硬件资源消耗,保障超大规模项目交付确定性。
全面对标先进制程代工厂设计规则手册(DRM),杜绝假性报错与漏报。
多核图计算拓扑重构算法,支持亿级门级网表快速完成建立与保持时间检查。
自主压缩分层数据模型,单台常规服务器节点可流畅加载完整光罩层版图。
支持主流代工厂提供的各类数字标准单元库、模拟器件模型与I/O接口库。
在多核分布式加速、自主可控源码审计、本地化技术闭环等方面展现硬核工程优势,杜绝外部技术断供风险。
| 对比工程维度 | 本套首页|J9国际集团中国官网网站 | 传统海外商用EDA工具 |
|---|---|---|
| 核心算法与内核授权 | 100% 自主微电子物理求解内核,源码无风险 | 黑盒闭源分发,存在突发性出口合规受限风险 |
| PDK工艺库定制支持 | 原厂专家驻场,平均 48 小时内完成规则更新 | 跨国工单流转,响应周期通常需 3 至 6 周 |
| 异构云与本地HPC适配 | 原生支持各类国产服务器处理器与通用GPU集群 | 仅绑定特定海外指令集硬件,扩展成本高昂 |
| 软件授权模式灵活性 | 支持永久节点买断、动态浮动授权与混合部署 | 严苛的年度按座席订阅,年维护费增长不可预测 |
跟踪纳米微电子、计算光刻、3D封装与良率提升最新工程研究报告。
探讨像素级逆向掩模合成在极紫外光刻条件下的收敛瓶颈,利用 GPU 并行图卷积将掩模优化算力需求降低一个数量级。
剖析化学机械研磨(CMP)与等离子体刻蚀均匀度对良率的影响,基于工业大数据构建边缘晶粒电学参数漂移预测网络。
研究第三代半导体功率模块在极端浪涌电流下的电热耦合行为,提升 ISO 26262 严苛工作温区下的长期寿命预估可靠性。
标准化、工程化的软件集成路径,保障在现有 EDA 环境中平滑插拔,不打断正在进行的流片项目排期。
导入代工厂提供的工艺规则文件与技术库,自动进行语法对齐与图层映射测试。
运行已知流片历史版图,验证仿真波形、时序裕量与物理检查结果的严格等价性。
基于企业私有 HPC 或算力云资源,配置作业调度器权重,最大化多核吞吐能效。
衔接流片制造与封测数据,持续反向校准器件紧凑模型,形成良率正向循环。
快速导航至半导体设计、制造与封测各工序对应的专业级功能模组。
已成功部署于国内头部晶圆制造基地与高性能车载智驾芯片研制项目,经受严苛的大规模实战检验。
针对量产产线光刻机对准偏差与邻近效应,采用本套工业软件进行全芯片在线仿真修正。成功将掩模缺陷复查误报率降低 62%,年化节省直接光罩重打成本超过数百万人民币。
在面临严苛的流片截止日期前,利用本套软件的多物理场STA与IR-Drop联合分析模块,在标准Linux集群上以更高并行度完成 sign-off 闭环,实现一次性顺利点亮。
倾听一线芯片架构师、制造良率负责人与封测工程总监的实际使用反馈。
“在复杂的 3D 封装硅通孔热应力模拟中,该软件的收敛速度超乎预期。其原生支持的网格自适应细分技术,使得我们在极细间距互连处无需手动反复调试网格密度。”
“过去版图物理验证常常受困于海外软件的并发授权限制,引入本套首页|J9国际集团中国官网网站后,团队在本地数百核集群上自由并发,DRC跑图效率得到彻底释放。”
“不仅算法底层极其扎实,其本地工程技术支持团队与我们代工厂 PDK 工程师的配合几乎做到实时响应,这在以前是完全不敢想象的服务体验。”
严格遵守半导体产业严苛的知识产权隔离与私有化部署规范。
支持纯内网单机/离线集群运行,无需连接公网,核心版图与设计资产完全物理受控。
通过国际公认静态代码检测体系,无隐藏远程诊断后门,交付详尽静态合规凭证。
支持 IEEE 1735 标准多厂商 IP 加密传输,确保第三方代工模型安全调用不泄密。
保持每个季度稳定发布次级更新,每年交付一次大版本飞跃,紧密跟随微电子先进制程演进步伐。
完成针对主流成熟工艺的完整规则集集成,支持分布式并行STA加速与模拟版图高精DRC检查。
重构瞬态电路仿真内核,加入全自动光学邻近修正(OPC)及 Chiplet 热电应力协同计算模型。
预研纳米片(Nanosheet)三维量子输运仿真算法,适配 3nm 以下极小尺寸器件先导研发。
重大流片阻断性工单支持 24x7 快速接入
关键Tape-out流片冲刺阶段安排FAE驻场支持
紧密同步代工厂最新设计规则发布与纠错
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